ملتقى طلبة عنابة


فضاء يجمع طلبة عنابة .. للمتعة والاستفادة
 
الرئيسيةاليوميةبحـثالتسجيلدخول

شاطر | 
 

 الترانزيستور

اذهب الى الأسفل 
كاتب الموضوعرسالة
Admin
Admin
Admin

عدد المساهمات : 594
نقاط : 1559
تاريخ التسجيل : 28/07/2009
العمر : 30
الموقع : www.etudiant23.forumactif.com

مُساهمةموضوع: الترانزيستور   الإثنين أغسطس 24, 2009 2:19 pm

التعريف

بلورة من مادة شبه موصل مطعمة بحيث تكون المنطقة الوسطى منها شبه موصل موجب أو سالب بينما المنطقتان الخارجيتان من نوعية مخالفة

تعريف آخر

وصلة ثلاثية من بللورة الجرمانيوم أو السيليكون تحتوي على بللورة رقيقة جدا من النوع الموجب أو السالب تسمى القاعدة توجد في الوسط وعلى جانبيها بللورتان من نوع مخالف هما الباعث والمجمع



نوعا الترانزيستور

يوجد نوعان من الترانزيستور هما

PNP

فيه القاعدة من النوع السالب بينما الباعث والمجمع من النوع الموجب

NPN

فيه القاعدة من النوع الموجب بينما الباعث والمجمع من النوع السالب



الرسم الرمزي للترانزيستور : يبين الشكل أعلاه الرسم الرمزي لكل نوع من الترانزيستور ويلاحظ أن اتجاه السهم يدل على اتجاه التيار ( وهو عكس اتجاه حركة الالكترونات

تركيب الترانزيستور من النوع npn

Emitteur الباعث

بللورة شبه موصل من النوع السالب بها نسبة شوائب عالية وذات حجم متوسط صممت لتبعث الكترونات

Base القاعدة

بللورة شبه موصل من النوع الموجب بها نسبة شوائب قليلة وذات حجم صغير تتوسط الباعث والمجمع صممت لتمرير الالكترونات

Collecteur المجمع

بللورة شبه موصل من النوع السالب بها نسبة شوائب أقل من الباعث وذات حجم كبير صممت لتجميع الالكترونات



كم وصلة ثنائية في الترانزيستور ؟

يتركب الترانزيستور من وصلتان ثنائيتان وضعتا ظهرا لظهر وصلة بين الباعث والقاعدة ووصلة بين القاعدة والمجمع




يسمى الترانزيستور بالوصلة ذات القطبية الثنائية Bipolar junction transistor= BJT
لأنه يتركب من وصلتان ثنائيتان وضعتا ظهرا لظهر



يفضل الترانزيستور المصنوع من السيلكون لأن: - السيليكون يتحمل درجات حرارة عالية تصل الى 175 درجة سيلزية

- السيليكون أسهل في تصنيعه من الجرمانيوم

- السيلكون أرخص ثمنا حيث أنه ثاني أكثر العناصر انتشارا في الطبيعة


كيفية عمل الترانزيستورnpn

أولا : توصل القاعدة والباعث بجهد ثابت توصيلا أماميا ( جهد الانحياز الأمامي ) وبالتالي يكون حاجز الجهد بين المنطقتين صغيرا جدا وعلى ذلك تكون مقاومة وصلة الباعث - القاعدة صغيرة

ثانيا : يوصل المجمع والقاعدة بجهد ثابت توصيلا خلفيا ( جهد الانحياز العكسي ) وبالتالي تكون مقاومة وصلة المجمع - القاعدة عالية

نلاحظ أن القاعدة تكون موجبة بالنسبة للباعث ويكون المجمع موجبا بالنسبة للقاعدة

ثالثا : بما أن القاعدة تحتوي على عدد قليل من الشوائب اذا عدد الفجوات بها يكون منخفضا وبالتالي يكون عدد الالكترونات التي يملأ هذه الفجوات منخفضا

رابعا : تمر معظم الالكترونات من الباعث الى المجمع عبر القاعدة ولا يمر في القاعدة الا عدد قليل من الالكترونات

خامسا : بتطبيق قانون كيرشوف على الترانزيستور يكون

شدة تيار الباعث = شدة تيار المجمع + شدة تيار القاعدة



شدة تيار الباعث يساوي تقريبا شدة تيار المجمع ؟

الأسباب :
اولا وجود فرق جهد كبير بين المجمع والباعث ينتج مجالا كهربائيا شديدا يعمل على دفع الالكترونات باتجاه المجمع

ثانيا كبر المساحة المتقابلة بين المجمع والباعث وصغر مساحة القاعدة يجعل الالكترونات تعبر من الباعث الى المجمع بمعدل أكبر

ثالثا قلة عدد الشوائب في القاعدة يجعلها لا تقبل سوى عدد صغير من الالكترونات
الرجوع الى أعلى الصفحة اذهب الى الأسفل
http://etudiant23.forumactif.com
 
الترانزيستور
الرجوع الى أعلى الصفحة 
صفحة 1 من اصل 1

صلاحيات هذا المنتدى:لاتستطيع الرد على المواضيع في هذا المنتدى
ملتقى طلبة عنابة :: الأقســـام والتخصصـــات الجـامعيـــة :: الأقسام والتخصصات الجامعية :: العلـــــــوم الهندسيـــة :: الهندسـة الـكهربائيـــة-
انتقل الى: